特許
J-GLOBAL ID：200903090593410840

記憶素子及びメモリ

発明者：
細見 政功

細見 政功 について

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大森 広之

大森 広之 について

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五十嵐 実

五十嵐 実 について

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山元 哲也

山元 哲也 について

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肥後 豊

肥後 豊 について

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山根 一陽

山根 一陽 について

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大石 雄紀

大石 雄紀 について

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鹿野 博司

鹿野 博司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-188371
公開番号（公開出願番号）：特開2009-026944
出願日： 2007年07月19日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができるメモリを提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17を有し、この記憶層17に対して、中間層16を介して磁化固定層31が設けられ、中間層16が絶縁体から成り、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われ、記憶層17の周囲にある、記憶層17よりも熱膨張係数が小さい絶縁層から、記憶層17に歪が印加されている記憶素子3と、記憶素子3の積層方向に流す電流を供給する配線とを備えたメモリを構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記中間層が、絶縁体から成り、 積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記記憶層の熱膨張係数が1×10-5[/K]以上であり、 少なくとも前記記憶層の周囲に、熱膨張係数が5×10-6[/K]以下の絶縁層が設けられて、前記記憶層に歪が印加されている ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z
Fターム (45件)：
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC08 ,  4M119DD01 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  4M119JJ09 ,  4M119KK09 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BB90 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA26 ,  5F092EA06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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