特許
J-GLOBAL ID：200903090606258296

多層配線基板とその製造方法および樹脂封止型半導体装置の製造方法

発明者：
倉持 悟

倉持 悟 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 米田 潤三 ,  皿田 秀夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202122
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047666
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】小型で薄型の樹脂封止型半導体装置を高精度で、かつ、高効率で作製できる多層配線基板とその製造方法、および、小型で薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法とを提供する。【解決手段】多層配線基板を、半導体素子の搭載位置に対応した配置で形成された複数の内部端子配線と、各内部端子配線に対応した複数の外部端子配線とを備え、厚みが30〜150μmの範囲内であり、各内部端子配線は各外部端子配線上に電気絶縁層を介して形成された1層以上の配線からなり、この配線は電気絶縁層に形成されたビア部により外部端子配線や他の層の配線との必要な導通がとられ、ビア部は径が100μm以下であり、最小形成ピッチが200μm以下であるものとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子の搭載位置に対応した配置で形成された複数の内部端子配線と、各内部端子配線に対応した複数の外部端子配線とを備え、厚みが30〜150μmの範囲内であり、各内部端子配線は各外部端子配線上に電気絶縁層を介して形成された1層以上の配線からなり、該配線は前記電気絶縁層に形成されたビア部により外部端子配線や他の層の配線との必要な導通がとられ、前記ビア部は径が100μm以下であり、最小形成ピッチが200μm以下であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H05K3/46
FI (6件)：
H01L23/12 N ,  H01L23/12 501B ,  H05K3/46 B ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 S ,  H05K3/46 Z
Fターム (9件)：
5E346AA02 ,  5E346AA03 ,  5E346AA43 ,  5E346BB16 ,  5E346CC01 ,  5E346CC16 ,  5E346CC32 ,  5E346DD24 ,  5E346DD32
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (11件)
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