特許
J-GLOBAL ID:200903090641960785

研磨用組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-396171
公開番号(公開出願番号):特開2005-129880
出願日: 2003年11月26日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】 ディッシングの発生を抑制することができるとともに、銅を含有する金属材料に対する研磨速度を高く維持することができる研磨用組成物を提供する。【解決手段】 研磨用組成物は、(a)α-アミノ酸、(b)下記一般式(1)で示されるベンゾトリアゾール誘導体、(c)酸化ケイ素、(d)界面活性剤、(e)酸化剤及び(f)水の各成分を含有している。この研磨用組成物は、半導体基板11のバリア膜14が露出するまで導体膜15を研磨する研磨工程に用いられる。 【化1】(式中、Rはカルボキシル基を含有するアルキル基、ヒドロキシル基と3級アミノ基とを含有するアルキル基、ヒドロキシル基を含有するアルキル基又はアルキル基を示す。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
半導体基板の研磨に用いられ、下記(a)〜(f)の各成分を含有する研磨用組成物。 (a):α-アミノ酸 (b):下記一般式(1)で示されるベンゾトリアゾール誘導体
IPC (3件):
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14
FI (6件):
H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (5件):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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