半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-140026
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342960
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】溝の開口幅によらずに埋め込み絶縁膜の圧縮応力を緩和できる溝型の素子分離を備え、これにより均一で良好な素子性能を有する半導体装置および、その製造方法を提供する。【解決手段】表面側に溝5を有する半導体基板3と、溝5内に充填された絶縁膜7と、溝5の内壁と絶縁膜7との間で引っ張り応力が加えられた状態で溝5の内壁に設けられた収縮膜9とを備えたことを特徴とする半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面側に溝を有する半導体基板と、前記溝内に充填された絶縁膜膜と、前記溝の内壁と前記絶縁膜との間で引っ張り応力が加えられた状態で当該溝の内壁に設けられた収縮膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/76 , H01L21/316 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/76 L , H01L21/316 P , H01L29/78 301R

Fターム (29件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA49 , 5F032AA50 , 5F032BA02 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA30 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F058BA02 , 5F058BA04 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F140AA08 , 5F140BA01 , 5F140BG08 , 5F140CB04 , 5F140CE06 , 5F140CE07 , 5F140CE18

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-298395 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-141036 出願人：松下電子工業株式会社
エアギャップを有するSTI構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-346132 出願人：チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・インコーポレイテッド

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