特許
J-GLOBAL ID：200903090867552396
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031404
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 高温での使用やリード/ライトの繰り返し使用に対しても劣化が防止でき、また、センシングマージンが大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 キャパシタ下部電極と、ZrよりTi成分を相対的に多く含む強誘電体膜と、そしてキャパシタ上部電極が第1絶縁膜上に順に形成されたキャパシタを含む半導体装置の製造方法において、下部電極と強誘電体膜の界面における反応を防止する熱処理が遂行される段階を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
活性領域と非活性領域を定義するための素子分離領域を有する半導体基板の前記活性領域上に導電層を形成する段階と、前記導電層を含んで半導体基板上に第1絶縁膜を形成する段階と、キャパシタ下部電極と、ジルコニウムよりチタン成分を相対的に多く含む強誘電体膜と、そしてキャパシタ上部電極を前記第1絶縁膜上に順に形成してキャパシタを形成し、前記上部電極及び強誘電体膜が、前記下部電極の一部とオーバーラップされるように形成する段階と、前記半導体基板全面に第2絶縁膜を形成する段階と、前記第2絶縁膜を部分的にエッチングして下部電極の上部表面の一部を露出させる第1オープニングを形成する段階と、前記下部電極と強誘電体膜の界面における反応を防止する熱処理を遂行する段階と、前記第2絶縁膜及び第1絶縁膜をエッチングして導電層の一側の活性領域の一部を露出させる第2オープニングを形成する段階と、前記第2絶縁膜上に、前記第1オープニングと第2オープニングを通して前記下部電極と前記活性領域を電気的に接続させるコンタクト層を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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