結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244962
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087667
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】高品質、低コストな結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】光源に半導体レーザ7を用いることにより、並列に配置して大面積のシリコン膜を一括して照射することが容易となり、基本波をレーザ結晶化に用いることができるので、エネルギーの無駄が無く効率的に処理することができる。この結果、高品質、低コストな結晶シリコン系薄膜半導体装置が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶シリコンとは異なる異種基板上に結晶性シリコン層を形成する結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法において、上記異種基板上に非単結晶シリコン層を形成し、該非単結晶シリコン層に半導体レーザを光源とするレーザ光を照射しながら上記非単結晶シリコン層若しくは上記レーザ光を相対移動させることにより上記非単結晶シリコン層を融解した後結晶化させることを特徴とする結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/04

FI (4件)：

H01L21/20 , H01L21/268 F , H01L29/78 627G , H01L31/04 X

Fターム (40件)：

5F051AA03 , 5F051CA15 , 5F051CB04 , 5F051CB11 , 5F051CB30 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5F051GA20 , 5F051HA20 , 5F052AA02 , 5F052BA11 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB01 , 5F052DB03 , 5F052EA11 , 5F052EA12 , 5F052FA00 , 5F052HA03 , 5F052JA01 , 5F052JA09 , 5F110AA01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP07

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-338631
光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-330914 出願人：株式会社リコー
特開昭61-111517

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