特許
J-GLOBAL ID：200903091091219841

超伝導回路

発明者：
波頭 経裕

波頭 経裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

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財団法人国際超電導産業技術研究センター

財団法人国際超電導産業技術研究センター について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129542
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324221
出願日： 2002年05月01日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 超伝導回路に関し、グランド・プレーンを構成する超伝導体材料を適切な組成にすることで、エッチング・ダメージに依ってバリアが生成され難いようにする。【解決手段】 グランド・プレーン12を構成するYBCO酸化物超伝導体の組成がY:Ba:Cu=A:2.00:B(1.05≦A<1.30、2.80<B<3.20)であり、且つ、超伝導接合を生成する為の少なくとも下部超伝導電極14を構成するYBCO酸化物超伝導体の組成がY:Ba:Cu=A:2.00:B(0.90<A<1.05、2.80<B<3.20)であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
グランド・プレーンを構成するYBCO酸化物超伝導体に於けるYの組成を超伝導接合を生成する為のYBCO酸化物超伝導体に於けるYの組成に比較して大きくしたことを特徴とする超伝導回路。
IPC (2件)：
H01L 39/24 ZAA ,  H01L 39/24
FI (2件)：
H01L 39/24 ZAA B ,  H01L 39/24 J
Fターム (18件)：
4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA25 ,  4M113AA37 ,  4M113AD36 ,  4M113AD42 ,  4M113AD62 ,  4M113AD67 ,  4M113AD68 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA29 ,  4M113BB07 ,  4M113BC04 ,  4M113BC05 ,  4M113BC08 ,  4M113BC22 ,  4M113CA34
引用特許：
審査官引用 (7件)
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