特許
J-GLOBAL ID：200903091152293845

半導体変位検出素子および検出器

発明者：
山口 浩司

山口 浩司 について

, 
平山 祥郎

平山 祥郎 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121172
公開番号（公開出願番号）：特開2005-300493
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 感度が優れた半導体変位検出素子および検出器を提供する。【解決手段】 導電性半導体2を加工して作製した片持ち梁11を有し、導電性半導体2の抵抗値の変化により、片持ち梁11の弾性的な変形を検出する半導体変位検出素子において、導電性半導体2は、III-V族窒化物半導体である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性半導体(2)を加工して作製した梁、あるいは、導電性半導体(2)をその一部として含む梁を有し、前記導電性半導体(2)の抵抗値の変化により、前記梁の弾性的な変形を検出する半導体変位検出素子において、 前記導電性半導体(2)は、III-V族窒化物半導体であることを特徴とする半導体変位検出素子。
IPC (7件)：
G01B7/16 ,  G01L1/18 ,  G01N13/16 ,  G01P15/12 ,  H01L29/84 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18
FI (7件)：
G01B7/18 H ,  G01L1/18 A ,  G01N13/16 C ,  G01P15/12 D ,  H01L29/84 A ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101Z
Fターム (15件)：
2F063AA25 ,  2F063CA08 ,  2F063DA02 ,  2F063DA05 ,  2F063EC01 ,  2F063EC06 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA27 ,  4M112CA33 ,  4M112DA06 ,  4M112EA09 ,  4M112FA01
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM