特許
J-GLOBAL ID：200903091195377333

薄膜太陽電池の製造方法

発明者：
米澤 諭

米澤 諭 について

, 
青木 誠志

青木 誠志 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-337272
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140307
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【目的】基板上に裏面電極層を形成し、その裏面電極層上にプリカーサ膜を形成して、SeまたはS雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極層を形成するようにした薄膜太陽電池を製造するに際して、エネルギー変換効率を向上させるべく、熱処理時に効率良く効果的に光吸収層にアルカリ金属元素を拡散させることができるようにする。【構成】アルカリ成分を含む基板を用いるとともに、裏面電極層とプリカーサ膜との間にアルカリ層を形成して、熱処理時にその基板およびアルカリ層からアルカリ金属元素が光吸収層に拡散するようにしたうえで、その拡散量を裏面電極層によって制御するようにした薄膜太陽電池の製造方法。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に裏面電極層を形成し、その裏面電極層上にプリカーサ膜を形成して、SeまたはS雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極層を形成するようにした薄膜太陽電池の製造方法にあって、アルカリ成分を含む基板を用いるとともに、裏面電極層とプリカーサ膜との間にアルカリ層を形成して、前記熱処理時にその基板およびアルカリ層からそれぞれアルカリ金属元素が光吸収層に拡散するようにしたうえで、その拡散量を裏面電極層によって制御するようにしたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
H01L31/04 ,  H01L21/203
FI (2件)：
H01L31/04 E ,  H01L21/203 S
Fターム (22件)：
5F051AA10 ,  5F051CB11 ,  5F051CB15 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA20 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18 ,  5F051FA21 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F103AA08 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103LL05 ,  5F103LL20
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM