特許
J-GLOBAL ID：200903014794324294

半導体発光素子

発明者：
菅 原 秀 人

菅 原 秀 人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198835
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031533
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の高い紫外域波長での発光が可能な半導体発光素子の提供。【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、サファイア基板1の上面に、バッファ層2、n-GaNコンタクト層3、n-AlGaN系クラッド層4、GaN活性層5、p-AlGaN系クラッド層6、およびp-GaNコンタクト層7を順に積層したものである。n-AlGaN系クラッド層4、GaN活性層5、p-AlGaN系クラッド層6、およびp-GaNコンタクト層7の一部は、エッチング除去されて、n-GaNコンタクト層3が露出され、その上面にはn側の電流注入用電極8が形成される。p-GaNコンタクト層7の上面の一部には、n-GaN電流ブロック層9が形成され、p-GaNコンタクト層7とn-GaN電流ブロック層9の上面にはp側の電流注入用電極10が形成される。GaN活性層5の厚さは50nm以上とされ、電流注入用電極10を介して電流を注入する面積は5×10-4以下とされる。
請求項（抜粋）：
活性層を間に挟んだ積層構造の窒化物半導体に電流を注入することにより、前記活性層のバンド間遷移を介して発光を行う半導体発光素子において、前記活性層の厚さを50nm以上で、かつ、電流を注入する領域の面積を5×10-4以下にしたことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (3件)：
5F041AA11 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40
引用特許：
審査官引用 (14件)
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