特許
J-GLOBAL ID：200903091215545548

マスクブランク、並びにこれに用いる保護膜とマスクブランクのパターン形成方法

発明者：
熊田 輝彦

熊田 輝彦 について

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藤野 敦子

藤野 敦子 について

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前床 和行

前床 和行 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-033928
公開番号（公開出願番号）：特開2003-233189
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 寸法精度が優れたパターン形成方法を得る。【解決手段】 基板1上に遮光体2を設け、この遮光体2に化学増幅レジスト膜3を設ける。化学増幅レジスト膜3は、放射線4の照射により酸を発生する光酸発生剤を含有し、酸によりアルカリ可溶性となる第1の樹脂を主成分とするものである。次に、化学増幅レジスト膜3に保護膜5を設けてマスクブランクを形成する。保護膜5は、第2の樹脂および上記光酸発生剤を、化学増幅レジスト膜3を実質的に溶解しない溶媒に溶解させた溶液を塗布して形成する。次に、マスクブランクに放射線をパターン照射し、保護膜5を、化学増幅レジスト膜3を実質的に溶解しない溶媒で溶解除去し、化学増幅レジスト膜3を現像処理してパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
基板に設けられた遮光体と、この遮光体に設けられ、放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤を含有し、酸によりアルカリ可溶性となる第1の樹脂を主成分とする化学増幅レジスト膜と、この化学増幅レジスト膜に設けられ、上記光酸発生剤を含有し、上記第1の樹脂を実質的に溶解しない溶媒に溶解される第2の樹脂を主成分とする保護膜とを備えたマスクブランク。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 1/08 L ,  G03F 1/14 Z ,  G03F 7/11 501 ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (17件)：
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA11 ,  2H025AB08 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025DA03 ,  2H025FA12 ,  2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BC04 ,  2H095BC17
引用特許：
審査官引用 (7件)
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