特許
J-GLOBAL ID：200903091244251286

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
佐々木 知也

佐々木 知也 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253706
公開番号（公開出願番号）：特開2006-099097
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【解決手段】(A)特定のスチレン骨格を有する繰り返し単位を2種含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機塩基性化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)で示される繰り返し単位と一般式(II)で示される繰り返し単位とを含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)有機塩基性化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  C08F 212/14 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  C08F212/14 ,  H01L21/30 502R
Fターム (78件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AL03R ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02H ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03H ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA05P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06H ,  4J100BA06P ,  4J100BA06Q ,  4J100BA10P ,  4J100BA10Q ,  4J100BA15H ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA22H ,  4J100BA22P ,  4J100BA22Q ,  4J100BA34P ,  4J100BB03P ,  4J100BB03Q ,  4J100BB18H ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC04H ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC43H ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC49H ,  4J100BC49P ,  4J100BC49Q ,  4J100BC54R ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100CA31 ,  4J100HA08 ,  4J100HA19 ,  4J100HA55 ,  4J100HA61 ,  4J100HC13 ,  4J100HC71 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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