特許
J-GLOBAL ID：200903091374542371

半導体デバイスパターンの欠陥検査・不良解析方法、半導体デバイスパターンの欠陥検査・不良解析システム、および、半導体デバイスパターンの検査装置

発明者：
船津 隆一

船津 隆一 について

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砂子沢 成人

砂子沢 成人 について

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小池 英巳

小池 英巳 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308506
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127125
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】ウエハ前工程の途中で半導体デバイスに形成されるパターンの欠陥を検出し、さらに、その欠陥部の抽出と観察を容易にし、不良原因の解析精度を向上させ、欠陥発生から原因究明,対策までの期間を大幅に短縮する。【解決手段】電子線を用いて欠陥とその位置を抽出し、該位置情報に基づいて欠陥のあるチップを切り出し、後工程の断面観察のために加工して薄片化し、次に、その試料を透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡で観察して、欠陥の原因を究明する工程からなる構成を備える。
請求項（抜粋）：
電子線を用いて半導体デバイスパターンの欠陥とその位置を抽出する工程、該位置の情報に基づいて前記欠陥を有する微小試料片の位置を決定し切り出す工程、前記切り出された微小試料片の一部を薄片化する工程、該薄片化された部分を電子顕微鏡で観察して前記欠陥の原因を究明する工程を備えたことを特徴とする半導体デバイスパターンの欠陥検査・不良解析方法。
IPC (10件)：
H01L 21/66 ,  G01B 15/00 ,  G01B 15/04 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 501 ,  H01J 37/26 ,  H01L 21/3065
FI (12件)：
H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 N ,  G01B 15/00 B ,  G01B 15/04 ,  G01N 1/32 B ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/22 501 A ,  H01J 37/26 ,  G01N 1/28 G ,  G01N 1/28 H ,  H01L 21/302 D
Fターム (59件)：
2F067AA54 ,  2F067BB01 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067KK06 ,  2F067LL00 ,  2F067RR24 ,  2F067SS17 ,  2F067TT08 ,  2F067UU32 ,  2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA07 ,  2G001AA10 ,  2G001BA06 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001FA06 ,  2G001GA04 ,  2G001GA06 ,  2G001GA09 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001JA03 ,  2G001JA07 ,  2G001JA11 ,  2G001JA16 ,  2G001JA20 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA01 ,  2G001QA01 ,  2G001RA01 ,  2G001RA04 ,  2G001RA06 ,  2G001RA20 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  5C033SS01 ,  5C033SS02 ,  5C033SS04 ,  5C033SS07 ,  5C033SS10 ,  5F004AA16 ,  5F004BA17 ,  5F004BB18 ,  5F004BD07 ,  5F004EA39
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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