特許
J-GLOBAL ID：200903091418112116

配線基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法

発明者：
中村 順一

中村 順一 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-353562
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158174
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】仮基板の上に剥離できる状態でビルドアップ配線層を形成する配線基板の製造方法において、何ら不具合が発生することなく、信頼性よく低コストで製造できる方法を提供する。【解決手段】プリプレグ10a上の配線形成領域Aに下地層12aが配置され、下地層12aより大きな金属箔12bが配線形成領域Aの外周部Bに接するように、下地層12aを介して金属箔12bをプリプレグ10a上に配置し、加熱・加圧によってプリプレグ10aを硬化させることにより、仮基板10を得ると同時に、仮基板10に金属箔12bを接着する。その後に、金属箔12aの上にビルドアップ配線層を形成し、その構造体の下地層12aの周縁部分を切断することにより、前記仮基板10から金属箔12bを分離して、金属箔12bの上にビルドアップ配線層が形成された配線部材30を得る。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
プリプレグ上の配線形成領域に下地層が配置され、前記下地層の大きさより大きな金属箔が前記配線形成領域の外周部に接するように、前記下地層を介して前記金属箔を前記プリプレグ上に配置し、加熱・加圧によってプリプレグを硬化させることにより、前記プリプレグから仮基板を得ると同時に、該仮基板の少なくとも片面に前記金属箔を接着する工程と、 前記金属箔の上にビルドアップ配線層を形成する工程と、 前記仮基板上に前記下地層、前記金属箔及び前記ビルドアップ配線層が形成された構造体の前記下地層の周縁に対応する部分を切断することにより、前記仮基板から前記金属箔を分離して、前記金属箔の上に前記ビルドアップ配線層が形成された配線部材を得る工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H05K3/46 B ,  H05K3/46 Q ,  H01L23/12 N
Fターム (11件)：
5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC05 ,  5E346CC09 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346EE31 ,  5E346FF45 ,  5E346HH11 ,  5E346HH33 ,  5E346HH40
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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