特許
J-GLOBAL ID:200903092182007010

接点と半田付け端子を有する電子部品及びその表面処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 板谷 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-178926
公開番号(公開出願番号):特開2006-002205
出願日: 2004年06月16日
公開日(公表日): 2006年01月05日
要約:
【課題】接点と半田付け端子を有する電子部品の表面処理方法において、電子部品を回路基板に半田付け実装する時に、接点方向への半田吸い上がりを防止すると共に、耐腐食性能の向上と低コスト化を図る。【解決手段】金属板の一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と(S1)、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と(S2)、均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層に下地ニッケル拡散により、半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と(S3)を備えた。【選択図】図4
請求項(抜粋):
金属板を加工することにより形成され、一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、 金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と、 下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と、 均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層に下地ニッケル拡散により、半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と、 を備えたことを特徴とする電子部品の表面処理方法。
IPC (6件):
C25D 5/12 ,  C25D 5/02 ,  C25D 5/16 ,  C25D 5/48 ,  C25D 7/00 ,  H01R 13/03
FI (7件):
C25D5/12 ,  C25D5/02 Z ,  C25D5/16 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 G ,  C25D7/00 H ,  H01R13/03 D
Fターム (13件):
4K024AA03 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB02 ,  4K024AB06 ,  4K024BA01 ,  4K024BB09 ,  4K024BB10 ,  4K024BB13 ,  4K024DB01 ,  4K024DB03 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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