特許
J-GLOBAL ID:200903092197757776
固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-149813
公開番号(公開出願番号):特開2008-305873
出願日: 2007年06月05日
公開日(公表日): 2008年12月18日
要約:
【課題】製造工程を別途追加することなく、斜め入射光が各配線層間で反射して隣接画素部に漏れ込むことを抑制する。【解決手段】遮光膜としても兼用される多層アルミニウム配線層4上にSiON膜などの反射防止膜5を堆積させ、同時にエッチングして多層アルミニウム配線層4上に反射防止膜5を形成する。この反射防止膜5の材料、膜厚、屈折率、光吸収率をフォトマスクパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射を低減させることができるように設定して、配線層や遮光膜による反射を抑制する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が2次元状に複数設けられ、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層が層間絶縁膜を介して複数層設けられた固体撮像装置において、該複数層の配線層上にそれぞれ反射防止膜が設けられている固体撮像装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L27/14 D
, H01L27/14 A
Fターム (13件):
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118FA06
, 4M118FA50
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 4M118GB18
, 4M118GC07
, 4M118GD04
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-296251
出願人:ソニー株式会社
-
固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-284773
出願人:ソニー株式会社
-
光電変換装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-307004
出願人:キヤノン株式会社
全件表示
前のページに戻る