ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123594
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315785
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】発光デバイス、光デバイス、磁性デバイス、マイクロデバイスなどの機能材料として、広い範囲で利用可能な細孔を有するナノ構造体を提供する。【解決手段】被加工物を陽極酸化もしくは陽極化成して細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、被加工物11上のレジスト13を干渉露光及び現像し、レジスト13に被加工物11表面まで貫通した部位17を形成して規則的ナノ構造パターンを形成した後、被加工物11を陽極酸化もしくは陽極化成することにより規則的ナノ構造パターンに対応して規則的配列した真円状の細孔20を有する細孔体を形成する。

請求項（抜粋）：

被加工物を陽極酸化もしくは陽極化成して細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、被加工物上のレジストを露光及び現像することより、該レジストに被加工物表面まで貫通した部位を形成して規則的ナノ構造パターンを形成する工程1と、引き続き、該被加工物を陽極酸化もしくは陽極化成することにより該規則的ナノ構造パターンに対応して規則的配列した細孔を有する細孔体を形成する工程2を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 29/06 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , C25D 11/00 308 , G03F 7/00 , H01J 1/304 , H01J 9/02 , G11B 5/62 , G11B 5/84 , H01L 43/08

FI (10件)：

H01L 29/06 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , C25D 11/00 308 , G03F 7/00 , H01J 9/02 B , G11B 5/62 , G11B 5/84 Z , H01L 43/08 Z , H01J 1/30 F

Fターム (26件)：

2H096AA27 , 2H096BA10 , 2H096CA14 , 2H096EA04 , 2H096EA12 , 2H096GA08 , 2H096HA30 , 5D006BB01 , 5D006BB06 , 5D006BB07 , 5D006CA01 , 5D006CB04 , 5D006CB08 , 5D006DA03 , 5D006FA09 , 5D112AA02 , 5D112AA03 , 5D112AA05 , 5D112AA18 , 5D112AA24 , 5D112BA02 , 5D112BB05 , 5D112BB10 , 5D112BD03 , 5D112GA19 , 5D112GA29

引用特許：

審査官引用 (9件)

磁気記録媒体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-023179 出願人：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
パターン形成方法及び装置並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-173528 出願人：株式会社日立製作所
化合物半導体の結晶成長方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-120207 出願人：沖電気工業株式会社

全件表示

前のページに戻る