特許

J-GLOBAL ID：200903092455082991

半導体装置の製造方法

発明者： 原 慎治 ,  田中 健司 ,  大塚 悦子
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社 ,  日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083451
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276855
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】配線パターンや外部電極の歪みあるいは製品外形のばらつきが少なく、脆い材料からなるセラミック基板を欠け(チッピング)が少なく分割でき、1シート当りの製品個数が減少することがない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】分割前のセラミック基板10の裏面にダイシングブレードを用いて第1の溝13を形成し、該第1の溝13の内壁とセラミック基板10の裏面に連続するよう外部電極12のメッキを施し、モールド樹脂20の表面からダイシングブレードを用いて第1の溝13に達するようにその第1の溝13とほぼ同じ幅の第2の溝21,14を形成して、セラミック基板10を分割する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

セラミック基板、該セラミック基板の表面に実装された半導体素子、前記セラミック基板の裏面から側面にかけて露出し前記半導体素子に前記セラミック基板内部の配線を介して接続された外部電極を備える半導体装置の製造方法であって、 分割前のセラミック基板の裏面にダイシングブレードを用いて第1の溝を所定深さだけ形成する第1の工程と、 該第1の溝の内壁と前記セラミック基板の裏面に連続するよう前記外部電極を最終形成する第2の工程と、 前記セラミック基板の表面からダイシングブレードを用いて前記第1の溝に達するように前記第1の溝とほぼ同じ幅の第2の溝を形成して前記セラミック基板を複数個に分割する第3の工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/301 ,  H01L23/12

FI (3件)：

H01L21/78 L ,  H01L23/12 501W ,  H01L23/12 L

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 高周波増幅器を有する積層電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-137320   出願人：松下電器産業株式会社
• 特許第2870371号公報
  
• セラミック基板の製造方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-259418   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 積層電子部品、その製造方法およびその特性測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-194863   出願人：株式会社村田製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-239863   出願人：富士電機株式会社
• セラミック部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-117272   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-051604   出願人：京セラ株式会社