データバスセンスアンプ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321446
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150774
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】センスアンプイネーブル信号のイネーブル時にスイッチング部を速やかにターンオンさせ、データバスセンスアンプのセンシング速度を向上させ、センシング電流を接地させるためのスイッチング部にスイッチングトランジスタを直列接続して用いることにより、センスアンプイネーブル信号のディスエーブル時にスイッチング部に発生する漏洩電流を低減するデータバスセンスアンプ回路を提供すること。【解決手段】本発明に係るデータバスセンスアンプ回路は、センスアンプイネーブル信号によりデータバスラインに印加されたデータをセンシングするクロスカップル構造の増幅手段、前記センスアンプイネーブル信号により増幅手段にプリチャージ電圧を供給するプリチャージ手段、及びスイッチング手段で構成され、スイッチング手段は、前記センスアンプイネーブル信号を入力される伝送ゲート及びスイッチング素子を備えて構成されている。

請求項（抜粋）：

センスアンプイネーブル信号によりデータバスラインに印加されたデータをセンシングするクロスカップル構造の増幅手段、前記センスアンプイネーブル信号を入力されて前記増幅手段にプリチャージ電圧を供給するプリチャージ手段、及び前記センスアンプイネーブル信号の入力端に伝送ゲートを備え、前記センスアンプイネーブル信号のイネーブル時に前記増幅部のセンシング電圧を接地させるスイッチング手段を備えていることを特徴とするデータバスセンスアンプ回路。

Fターム (10件)：

5M024AA06 , 5M024AA22 , 5M024AA41 , 5M024BB18 , 5M024BB33 , 5M024DD22 , 5M024DD23 , 5M024DD30 , 5M024PP02 , 5M024PP03

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-343759 出願人：三菱電機株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-253784 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
半導体素子の読取り回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-138364 出願人：エルジーセミコンカンパニーリミテッド

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