特許
J-GLOBAL ID：200903092570965554
集束イオンビーム加工装置及びその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243679
公開番号（公開出願番号）：特開平11-077333
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：
【要約】【課題】FIBにより試料の片側だけを切削し、図1に示すように、薄膜領域が試料の最下端に位置するように試料を加工し、薄膜領域を下にしてTEM-EDX分析を行うことで、基板領域からの不要なX線をほとんど除去でき、定量分析の精度が飛躍的に高まる。【解決手段】FIBにより試料の片側のみを切削し、測定箇所を含む薄膜領域を試料の最下端に位置するように加工し、薄膜領域を下側にして電子顕微鏡内に保持することで、入射電子が薄膜領域で高角度に散乱されても、散乱電子が厚い基板領域の側壁を照射することを防ぎ不要なX線の発生を抑制する。
請求項（抜粋）：
集束イオンビームにより電子顕微鏡用試料を加工する場合、観察または分析に供する薄膜部が、試料の最下部に位置するように加工することを特徴とする集束イオンビーム加工装置。
IPC (2件)：
B23K 15/00 508
, B23K 15/08
B23K 15/00 508
, B23K 15/08
