特許
J-GLOBAL ID：200903092689117047

半導体装置およびその製造方法

発明者：
杉田 義博

杉田 義博 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-289647
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103549
出願日： 2005年10月03日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】金属ゲート電極のゲート絶縁膜界面での酸化を抑制する。【解決手段】金属ゲート電極8を構成するTiNの金属電極膜5に、その形成時にHfまたはZrを0.05原子%〜5原子%程度添加しておく。これにより、HfAlxOy膜で形成されているゲート絶縁膜4との界面においても、金属電極膜5の耐酸化性が向上し、成膜時やアニール時の高い温度環境下でも、金属電極膜5の酸化が抑制されるようになる。そのため、高性能で高信頼性の半導体装置を歩留まり良く形成することが可能になる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
金属ゲート電極を備える半導体装置において、 半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成され、前記ゲート絶縁膜との界面における酸化を抑制する元素としてZrまたはHfが微量添加されている、TiN,TiAlまたはTiAlxNyを用いて形成された金属ゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R
Fターム (34件)：
4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10 ,  5F140BF06 ,  5F140BF10 ,  5F140BF17 ,  5F140BF21 ,  5F140BF30 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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