低プロファイルの側面放射LED

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-177780
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004948
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】低プロファイルの側面放射LEDを提供すること。【解決手段】低プロファイルの側面放射LEDについて説明され、ここで、全ての光が、光を生成する活性層の表面とほぼ平行に比較的狭い角度内で効率的に放射される。このLEDは、LCDを背面から照らすための非常に薄いバックライトの生成を可能にする。一実施形態において、LEDは、LEDの同じ側にn電極及びp電極を有するフリップ・チップ型であり、LEDは、サブマウント上に電極側を下にしてマウントされる。リフレクタが、LEDの上面に設けられるので、リフレクタに当たる光が、再び活性層に向けて反射され、最終的にLEDの側部を通って出ていく。効率を向上させるために、導波路層及び/又は1つ又はそれ以上の蛍光体層が、半導体層とリフレクタとの間に堆積され、側面放射領域を増加させる。0.2mmから0.4mmまでの間の厚さを有する側面放射LEDを形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

側面放射型の非レーザ式発光ダイオード(LED)を含む発光デバイスであって、該LEDが、第1のタイプの半導体層と、第2のタイプの半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間にある、主面を有する活性層と、前記第1の半導体層と接触する第1の電極と、前記第2の半導体層と接触する第2の電極と、を具備し、前記第1の電極及び前記第2の電極が、サブマウント上の電極に直接接続されるように前記LEDの第1の側にあり、該LEDがフリップ・チップ型であり、さらに、前記活性層の前記主面に対して実質的に垂直な側部を有する第1の層を具備し、前記活性層内で生成される光の大部分が該第1の層を介して放射し、さらに、前記第1の層の上のリフレクタを具備し、該リフレクタに当たる実質的に全ての光が再び前記LEDに戻る方向に向けられており、前記LEDが、前記活性層の前記主面に対して実質的に垂直である該LEDの全ての側部から光を発するようになっている、ことを特徴とするデバイス。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , G02F 1/133

FI (3件)：

H01L33/00 L , H01L33/00 N , G02F1/13357

Fターム (13件)：

2H091FA23Z , 2H091FA43Z , 2H091FA45Z , 2H091FB09 , 2H091LA16 , 2H091LA30 , 5F041AA12 , 5F041AA14 , 5F041CA14 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA36 , 5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (15件)

特開昭57-092881
複合発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-027451 出願人：松下電器産業株式会社
発光ダイオード及び半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-390882 出願人：住友電気工業株式会社

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審査官引用 (18件)

特開昭57-092881
特開昭57-092881
複合発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-027451 出願人：松下電器産業株式会社

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