微細針の成形鋳型の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山田卓二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-164353
公開番号（公開出願番号）：特開2006-334225
出願日： 2005年06月03日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】本発明の1つの態様は、シリコン基板のエッチングプロセスを正確に制御して、所望の形状を有する微細針の成形鋳型を製造することを目的とする。【解決手段】本発明に係る1つの態様による微細針の成形鋳型の製造方法は、(100)面方位の主面を有するシリコン半導体基板上にシリコン酸化膜を形成するステップと、所定の間隔を隔てて直線上に配置された複数の離散領域でシリコン半導体基板を露出させたシリコン酸化膜によるマスクを形成するステップと、シリコン酸化膜によるマスクを用い、水酸化カリウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、シリコン半導体基板をエッチングすることにより形成された複数の凹部が互いに連通したときに、水酸化カリウム水溶液に代わって、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、を有することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

微細針を成形するための鋳型の製造方法であって、 (100)面方位の主面を有するシリコン半導体基板上にシリコン酸化膜を形成するステップと、所定領域でシリコン半導体基板を露出させたシリコン酸化膜によるマスクを形成するステップと、シリコン酸化膜によるマスクを用い、水酸化カリウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、シリコン半導体基板をエッチングすることにより形成された複数の凹部が互いに連通したときに、水酸化カリウム水溶液に代わって、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップとを有することを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

A61B 5/151 , A61L 31/00 , A61M 37/00

FI (3件)：

A61B5/14 300D , A61L31/00 Z , A61M37/00

Fターム (16件)：

4C038TA02 , 4C038UE01 , 4C038UE10 , 4C081AC09 , 4C081BC01 , 4C081CA27 , 4C081DA01 , 4C081DC03 , 4C081EA06 , 4C167AA21 , 4C167AA71 , 4C167CC05 , 4C167CC08 , 4C167EE08 , 4C167GG03 , 4C167HH08

引用特許：

出願人引用 (1件)

医療用システムおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-086423 出願人：財団法人大阪産業振興機構

引用文献：

審査官引用 (6件)

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