デバイスの作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086935
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319880
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。【解決手段】第1の非晶質半導体膜103に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記第1の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜105を形成し、前記結晶性半導体膜上に第2の非晶質半導体膜107を形成し、前記結晶性半導体膜および前記第2の非晶質半導体膜を加熱し、当該加熱後の結晶性半導体膜108を用いて形成することを特徴とするデバイスの作製方法である。

請求項（抜粋）：

第1の非晶質半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記第1の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に第2の非晶質半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜および前記第2の非晶質半導体膜を加熱し、当該加熱後の結晶性半導体膜を用いて形成することを特徴とするデバイスの作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-271703 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079002 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭60-119733

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