特許
J-GLOBAL ID：200903093024492773
半導体装置とそれに用いる配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121916
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315765
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 複数の半導体素子を配線基板に少ないスペースで搭載可能として、半導体素子の高密度実装が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 配線基板60は、ランド部72と貫通穴52の開口縁部に形成された第1ボンディング(BD)部56とを備えた第1配線パターン(WP)58が一方の面に形成される。第1半導体素子64は配線基板60の他方の面に電極端子形成面を対向させて、第1電極端子62が貫通穴52の内側となるように搭載され、貫通穴52を通して第1電極端子62と第1BD部56とが第1ボンディングワイヤ(BW)66で接続される。第2WP20は配線基板60の他方の面に形成され、第2BD部18を備え、配線基板60を貫通するスルーホールビア22によって第1WP58と接続される。第2半導体素子12は第1半導体素子64の背面に電極端子形成面を上にして搭載され、電極端子形成面の周縁部に形成された第2電極端子14と第2BD部18とが第2BW16により接続される。
請求項（抜粋）：
貫通穴を有すると共に、ランド部と前記貫通穴の開口縁部に形成された第1ボンディング部とを備えた第1配線パターンが一方の面に形成された配線基板と、該配線基板の前記ランド部に接合された外部接続端子と、該配線基板の他方の面に電極端子形成面を対向させて、該電極端子形成面に形成された第1電極端子が前記貫通穴の内側となるように搭載され、貫通穴を通して第1電極端子と前記第1ボンディング部とが第1ボンディングワイヤにより電気的に接続された第1半導体素子と、前記貫通穴内部の第1ボンディングワイヤを封止する樹脂と、前記配線基板の他方の面に形成され、第2ボンディング部を備えると共に、配線基板を貫通するスルーホールビアによって前記第1配線パターン、前記第1ボンディング部または前記外部接続端子と電気的に接続された第2配線パターンと、前記第1半導体素子の背面に電極端子形成面を上にして搭載され、該電極端子形成面の周縁部に形成された第2電極端子と前記第2ボンディング部とが第2ボンディングワイヤにより電気的に接続された第2半導体素子とを有し、前記第1半導体素子、第2半導体素子および第2ボンディングワイヤを樹脂封止して成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
