特許
J-GLOBAL ID：200903093339797157
フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-094139
公開番号（公開出願番号）：特開2009-244793
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】加工精度を犠牲にすることなく、加工プロセスを軽減できる位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、前記掘込部をドライエッチングで形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜10と、該エッチングマスク膜の表面にタンタルを主成分とした材料で形成され、透光性基板の掘込部を形成するドライエッチング時に同時に除去可能な膜厚の遮光膜とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板に、透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、
前記位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、
前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、前記掘込部をドライエッチングで形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜と、
該エッチングマスク膜の表面にタンタルを主成分とした材料で形成され、透光性基板の掘込部を形成するドライエッチング時に同時に除去可能な膜厚の遮光膜と
を有することを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BA06
, 2H095BA07
, 2H095BB14
, 2H095BB25
, 2H095BC05
, 2H095BC14
