特許
J-GLOBAL ID：200903093387286415

半導体レジストの保護膜用樹脂及び半導体の製造方法

発明者：
糸数 輝雄

糸数 輝雄 について

, 
堤 聖晴

堤 聖晴 について


出願人/特許権者：
ダイセル化学工業株式会社

ダイセル化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-225992
公開番号（公開出願番号）：特開2008-050422
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】半導体レジストの保護膜用樹脂の耐水性、アルカリ現像時にはアルカリ現像液への溶解性、更にはレジスト膜上に均一な薄膜を形成できること、また、露光時において、使用される光、特に遠紫外線には透明性が高いこと、それによってレジスト膜への露光の妨げにならない保護膜樹脂の提供。【解決手段】アルカリ現像液に可溶な基を有する単量体及び疎水性を示す基を有する単量体の溶液とラジカル重合開始剤の溶液をそれぞれ重合温度に昇温された溶媒中へ添加しながら重合することを特徴として製造された、液浸露光法によるリソグラフィに使用される半導体レジストの保護膜用樹脂であり、前記ラジカル重合開始剤が分子中にシアノ基及び芳香族環を含まないラジカル重合開始剤である前記記載の半導体レジストの保護膜用樹脂。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
アルカリ現像液に可溶な基を有する単量体及び疎水性を示す基を有する単量体の溶液とラジカル重合開始剤の溶液をそれぞれ重合温度に昇温された溶媒中へ添加しながら重合することを特徴として製造された、液浸露光法によるリソグラフィに使用される半導体レジストの保護膜用樹脂。
IPC (5件)：
C08F 220/10 ,  C08F 2/00 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/11 ,  C08F 2/06
FI (5件)：
C08F220/10 ,  C08F2/00 A ,  H01L21/30 575 ,  G03F7/11 501 ,  C08F2/06
Fターム (37件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025DA02 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J011AA05 ,  4J011BB01 ,  4J011BB02 ,  4J011BB04 ,  4J011BB12 ,  4J011HA03 ,  4J011HB06 ,  4J011HB22 ,  4J100AJ02Q ,  4J100AL03P ,  4J100AL08P ,  4J100BA03P ,  4J100BA05P ,  4J100BA06P ,  4J100BA11P ,  4J100BA16P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA08 ,  4J100FA19 ,  4J100JA32 ,  5F046JA22
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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