特許
J-GLOBAL ID：200903068667584476

レジスト保護膜形成用材料およびこれを用いたレジストパターン形成方法

発明者：
石塚 啓太

石塚 啓太 について

, 
遠藤 浩太朗

遠藤 浩太朗 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-378234
公開番号（公開出願番号）：特開2006-184574
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種液浸露光用液体を用いた液浸露光中のレジスト膜のブリッジなどに代表される変質および液浸露光用液体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、さらにはレジスト膜の引き置き耐性を向上させることができ、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】レジスト保護膜形成用材料として、レジスト膜の上層保護膜を形成するための、アルカリに可溶なポリマー成分を含有し、前記ポリマー成分と水との接触角が90°以上であることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料を用いる。このようなポリマーとしては、(メタ)アクリル酸構成単位と特定のアクリル酸エステル構成単位を少なくとも含むアクリル系ポリマーが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
レジスト膜の上層保護膜を形成するための、アルカリに可溶なポリマー成分を含有するレジスト保護膜形成用材料であって、 前記ポリマー成分と水との接触角が90°以上であることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料。
IPC (3件)：
G03F 7/11 ,  C08F 220/22 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/11 501 ,  C08F220/22 ,  H01L21/30 575
Fターム (32件)：
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J100AL03R ,  4J100AL04R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BB18P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC28Q ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38 ,  5F046PA19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 国際公開2004/074937号パンフレット
審査官引用 (11件)
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