特許
J-GLOBAL ID：200903094019743420

半導体記憶装置

発明者：
久保 貴志

久保 貴志 について

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伊藤 孝

伊藤 孝 について

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柏崎 泰宏

柏崎 泰宏 について

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小倉 卓

小倉 卓 について

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古谷 清広

古谷 清広 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-095876
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285197
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 低電源電圧下においても、高精度でセンス動作を行なって正確なデータの読出を行なうことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 読出回路(4)のセンスアンプに対し、電源電圧として、内部電圧発生回路(6)から内部電源電圧VCCよりも高い昇圧電圧Vbsを供給し、また内部データ線(DB)を介してのビット線プリチャージ電流は、内部電源電圧から供給する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリセル、および 前記複数のメモリセルの選択メモリセルのデータを検出するためのセンス増幅回路を備え、 前記センス増幅回路は、 内部電源電圧よりも高い電圧を受ける昇圧電源ノードと、 前記昇圧電源ノードに動作時結合され、前記選択メモリセルを流れる電流に応じて前記選択メモリセルの記憶データを読出す読出部と、 前記内部電源電圧を受けるノードに結合され、プリチャージ指示信号に応答して前記選択メモリセルへ前記内部電源ノードからの電流を供給して前記選択メモリセルが接続されるデータ線を所定電位にプリチャージするプリチャージ段とを備える、半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C16/06 ,  G11C16/02
FI (5件)：
G11C17/00 634C ,  G11C17/00 634B ,  G11C17/00 632A ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 611A
Fターム (11件)：
5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA03 ,  5B125DB08 ,  5B125EE00 ,  5B125EG06 ,  5B125EG16 ,  5B125EH01 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開平4-216397号公報
  • 温度補償されたバイアス発生器
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-564161   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-012116   出願人：松下電器産業株式会社
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審査官引用 (10件)
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