特許
J-GLOBAL ID：200903094119876117

光半導体装置、LEDヘッド、及びこれを用いた画像形成装置

発明者：
荻原 光彦

荻原 光彦 について

, 
武藤 昌孝

武藤 昌孝 について

, 
猪狩 友希

猪狩 友希 について


出願人/特許権者：
株式会社沖データ

株式会社沖データ について

, 
株式会社沖デジタルイメージング

株式会社沖デジタルイメージング について


代理人 (2件)： 前田 実 ,  山形 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-076295
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261359
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 光半導体装置において、装置内で発生した光を外部に取り出す発光効率は、光素子の集積度が増すほど、電極配線等に遮られて低下する。【解決手段】 基板11上に半導体薄膜12を設け、その上に設けた層間絶縁膜14の開口部14aを介して、半導体薄膜12の最上層のコンタクト層12dと電気的にコンタクトする透明導電膜15を層間絶縁膜14上に設け、この透明導電膜15とコンタクトする透明導電膜15を半導体薄膜12の形成領域外まで延在させ、この領域外で、透明導電膜15と電気的に接続するメタル層の導通層16を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
能動領域を有して最上層がコンタクト層である半導体薄膜と、 前記コンタクト層と電気的に接続し、前記半導体薄膜の積層方向から見たときに前記能動領域外まで延在する透明導電膜層と、 前記半導体薄膜の積層方向から見たとき、前記能動領域外で前記透明導電膜層と電気的に接続するメタル層と を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 31/10
FI (4件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 A ,  H01L31/10 H ,  H01L31/10 A
Fターム (35件)：
5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB02 ,  5F041CB15 ,  5F041CB23 ,  5F041CB25 ,  5F041DB09 ,  5F041DC08 ,  5F041DC22 ,  5F041DC63 ,  5F041DC83 ,  5F041EE11 ,  5F041FF13 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA04 ,  5F049SE09 ,  5F049SS02 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ16 ,  5F049TA03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128077   出願人：晶元光電股ふん有限公司
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM