特許

J-GLOBAL ID：200903094393149159

半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器

発明者： 福田 憲司 ,  小杉 亮治 ,  原田 信介 ,  先崎 純寿 ,  児島 一聡 ,  黒田 悟史
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307747
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079339
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。【解決手段】 炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の(000-1)面から0°以上1°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、P型あるいはN型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。エピタキシャル層は、1400°Cから1600°Cの温度の水素とプロパンの混合ガス雰囲気中で熱処理して、表面のステップの高さを1nm以下とし、また、そのエピタキシャル層は、シランとプロパンガスの気相反応により形成するが、その気相反応の雰囲気は、炭素(C)の珪素(Si)に対する原子密度の組成比が1以下であるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板上に形成された半導体装置であって、 その基板は、炭化珪素半導体基板の(000-1)面から0°以上1°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層を有し、 上記のエピタキシャル層に、P型半導体領域あるいはN型半導体領域の少なくとも一方がイオン注入により選択的に形成され、 上記のP型半導体領域あるいはN型半導体領域の表層に接触するように金属電極が形成され、上記の金属電極と上記のP型半導体領域あるいはN型半導体領域との間で整流作用を示すショットキー・バリア・ダイオード、あるいは、PN型ダイオード、 であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

FI (8件)：

H01L29/48 P ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 V

Fターム (61件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF02 ,  4M104FF22 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  4M104HH12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21 ,  5F140AA05 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140AB06 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140CA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第4912064号
  
• 米国特許第5011549号
  
• 米国特許第6329088号
  

審査官引用 (5件)

• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-241899   出願人：松下電器産業株式会社
• SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226065   出願人：富士電機株式会社
• SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-084510   出願人：富士電機株式会社
• 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336511   出願人：富士電機株式会社
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067278   出願人：株式会社デンソー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• SiC素子の基礎と応用, 20030326, 71-73, 86-89, 192-199, 242, 243