特許
J-GLOBAL ID：200903094434479533

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

発明者：
久永 幸博

久永 幸博 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-163608
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339478
出願日： 2005年06月03日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】ゲート絶縁耐圧の低下の抑制と低コスト化との両立が図られた絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】まず,CZバルク基板10を用意する(a)。次に,イオン注入や熱拡散処理等を行うことにより,P- 拡散層41およびN+ 拡散層31を形成する(b)。さらに,反応性イオンエッチングにより,ゲートトレンチ21を形成する(c)。次に,CVD法により,ゲートトレンチ21の壁面におよそ1.0×1018atoms/cm3 の炭素を含有するゲート絶縁膜24を形成し,その後,アニール処理を行う(d)。これにより,CZバルク基板10とゲート絶縁膜24との界面付近に低欠陥領域が形成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
CZ法(チョクラルスキー法)により作製されたシリコン基板からなる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において, 前記シリコン基板の表面に,炭素含有量が1.0×1017atoms/cm3 以上のゲート絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と, 前記絶縁膜形成工程後に,アニール処理を行うアニール工程とを含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739
FI (4件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655Z
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-264725   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
審査官引用 (7件)
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