MRAMデバイスおよびその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080560
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244482
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】より高いスピン角運動量の移動効率が得られるMRAMデバイスを提供する。【解決手段】MTJ構造100は、ワード線とビット線との交差点においてそれらの間に配置されている。MTJ構造100は、基体1の上に、反強磁性層2、ピンド層3、非磁性層4、リファレンス層5、トンネルバリア層6、フリー層7、非磁性層8、ドライブ層9、非磁性層10、ピンド層11、反強磁性層12が順に積層されたものである。フリー層7は、トンネルバリア層6の側から順に、第1強磁性層76、第1非磁性導電層75、第2強磁性層74、第2非磁性導電層72、第3強磁性層70を備える。第2強磁性層74は、第1強磁性層76と強磁性的に交換結合すると共に、第3強磁性層70と反強磁性的に交換結合している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に、反強磁性ピンニング層、ピンド層、リファレンス層、トンネルバリア層、フリー層、第3の非磁性導電層、ドライブ層が順に積層されたMTJ構造とを備え、前記フリー層は、第1の強磁性層と第1の非磁性導電層と第2の強磁性層と第2の非磁性導電層と第3の強磁性層とが順に積層された積層体であり、前記第1の強磁性層、第1の非磁性導電層および第2の強磁性層は、前記第1および第2の強磁性層が前記第1の非磁性導電層を介して磁気的に交換結合したシンセティック交換結合積層体を構成し、前記第1および第2の強磁性層は積層面内において互いに平行な磁化方向を有し、前記第2の強磁性層は、前記第2の非磁性導電層を介して前記第3の強磁性層と磁気的に交換結合し、かつ、積層面内において前記第3の強磁性層の磁化方向と逆平行な磁化方向を有し、前記MTJ構造に対して積層方向に伝導電子を流し、その伝導電子のスピン角運動量の移動を利用して前記第1から第3の強磁性層における磁化方向のスイッチングを行うことを特徴とするMRAMデバイス。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (3件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/12

Fターム (35件)：

4M119AA03 , 4M119AA06 , 4M119AA11 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD02 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD25 , 4M119DD42 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AA08 , 5F092AA12 , 5F092AB07 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC42 , 5F092BE27

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第5,695,164号明細書
米国特許第6,714,444号明細書
米国特許第6,532,164号明細書

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審査官引用 (10件)

磁気セル及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-396201 出願人：株式会社東芝
記憶素子及びメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-291759 出願人：ソニー株式会社
積層強磁性構造体、磁気抵抗デバイス、及び積層強磁性構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-361431 出願人：日本電気株式会社

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