特許
J-GLOBAL ID：200903094703890474
光半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-080780
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311324
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】Si、ガラス、プラスティックなどの任意の基板材料、形状のものに光伝導素子を形成して、THz発生・検出できるものを作成することである。【解決手段】光半導体装置では、電極を備えた光伝導性のある半導体薄膜1が、半導体薄膜1をエピタキシャル成長するための第1の半導体基板とは異なった第2の基板4上に形成されている。光半導体装置は、第2の基板4にも第2の電極2を備えており、第2の電極2と、光伝導性のある半導体薄膜の電極が接触して成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極を備えた光伝導性のある半導体薄膜が、該半導体薄膜をエピタキシャル成長するための第1の半導体基板とは異なった第2の基板上に形成された光半導体装置であって、該第2の基板にも第2の電極を備えており該第2の電極と、該光伝導性のある半導体薄膜の電極が接触して成ることを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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