特許
J-GLOBAL ID：200903094925774073
半導体実装体の製造方法、および半導体実装体の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086616
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115510
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 従来、複数の半導体素子を回路基板上に実装する際、それら複数の半導体素子を均一に加圧することができなかった。【解決手段】 回路基板1上に1個または複数個の半導体素子2が実装され、回路基板1と半導体素子2との隙間に封止樹脂11が配置された実装体の、半導体素子2の回路基板1と対向しない方の面に、形状がフレキシブルに変形するシート材3を配置する吸着機構4、昇降機構5および上チャンバー6と、配置されたシート材3を基準にして、半導体素子2が存在しない側の気圧が、半導体素子2が存在する側の気圧より高くなるように、半導体素子2が存在しない側と半導体素子2が存在する側とに気圧差を設け、シート材3で半導体素子2を加圧する加圧口8および排気口Bとを備えた半導体実装体の製造装置である。
請求項（抜粋）：
回路基板上に1個又は複数個の半導体素子が実装され、前記回路基板と前記半導体素子との隙間に封止樹脂が配置された半導体実装体の製造方法であって、前記半導体素子の前記回路基板と対向しない方の面に、形状がフレキシブルに変形するシートを配置する第1工程と、その第1工程の後に、前記シートを基準にして、前記半導体素子が存在しない側の気圧が、前記半導体素子が存在する側の気圧より高くなるように、前記半導体素子が存在しない側と前記半導体素子が存在する側とに気圧差を設け、前記シートで前記半導体素子を加圧する第2工程とを備えた半導体実装体の製造方法。
Fターム (3件)：
5F044KK02
, 5F044LL11
, 5F044RR19
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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