特許
J-GLOBAL ID：200903095258566692
半導体基板の製造方法、外面加工装置及び単結晶インゴット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160899
公開番号（公開出願番号）：特開平11-348031
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】【課題】 高品質の半導体基板を経済的に製造する。【解決手段】 CZ法又はFZ法により育成された単結晶インゴット10から複数のブロック11,11・・を切り出す。各ブロック11を、外周面に複数の環状凸部12,12・・が形成された特殊形状のブロック14に加工する。各環状凸部12は、面取り加工を受けた単結晶ウエーハの周縁部に対応する。ブロック14をエッチングして、外周面の加工歪層16を除去する。その外周面に保護膜17を形成したあと、隣接する環状凸部12,12間でブロック14を切断して、複数枚の単結晶ウエーハ18,18・・を採取する。ウエーハ外周面の面取り加工及びエッチング処理をインゴットの状態で行うことにより、工程が簡略化される。
請求項（抜粋）：
単結晶インゴットから単結晶ウエーハを切り出す前に、単結晶インゴットの外周面に、周方向に連続する複数の環状凸部を軸方向に所定の間隔で形成する外面加工工程と、外面加工工程より後に、単結晶インゴットを隣接する2つの環状凸部の間で切断して、単結晶インゴットから複数枚の単結晶ウエーハを切り出すスライス工程とを包含することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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