基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大坪隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-024365
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305177
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】除去液の薬液成分を含むガスの外部への拡散を防止しながら、基板に対して反応生成物の除去処理を有効に実行することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板処理装置は、基板Wを回転可能に保持するスピンチャック58と、スピンチャック58に保持された基板Wに反応生成物を除去するための除去液を供給する第1ノズル41と、基板Wから飛散する除去液を捕獲するための昇降カップ51および固定カップ52と、これらの昇降カップ51および固定カップ52内の雰囲気を排気する排気管35とを備える。基板Wの表面に除去液を供給して反応生成物を除去する際には、排気量調整弁60により、排気が弱められる。

請求項（抜粋）：

レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を除去液により除去する基板処理装置であって、基板を回転可能に保持するスピンチャックと、前記スピンチャックに保持された基板に反応生成物を除去するための除去液を供給する除去液供給機構と、前記スピンチャックに保持されて回転する基板から飛散する除去液を捕獲するためのカップと、前記カップ内の雰囲気を排気する排気手段と、基板の表面に除去液を供給して反応生成物を除去する際に、前記カップ内の雰囲気の排気を弱める制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 648 , H01L 21/027 , H01L 21/306 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/304 648 Z , H01L 21/30 572 B , H01L 21/302 N , H01L 21/306 J

Fターム (12件)：

5F004AA09 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004FA08 , 5F043BB27 , 5F043DD12 , 5F043EE08 , 5F043EE37 , 5F043GG10 , 5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-018888 出願人：松下電子工業株式会社
半導体基板の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-349014 出願人：オリンパス光学工業株式会社
基板現像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248214 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

全件表示

前のページに戻る