フォトレジスト基材及びその精製方法、並びにフォトレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307443
公開番号（公開出願番号）：特開2005-075767
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】極端紫外光等による超微細加工が可能な、フォトレジスト基材及びその精製方法、並びにフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】塩基性不純物の含有量が10ppm以下である、下記一般式(1)で表される極端紫外光反応性有機化合物からなるフォトレジスト基材。【化1】[式中、Aは、炭素数1〜50の脂肪族基、炭素数6〜50の芳香族基、これらを同時に含む有機基、これらの基が繰り返された環状構造の有機基からなる中心構造であり、B〜Dは、極端紫外光反応性基、極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する基、これらの反応性基を含む、炭素数1〜50の脂肪族基、炭素数6〜50の芳香族基、これらを同時に含む有機基、分岐構造からなる置換基であり、X〜Zは、単結合又はエーテル結合であり、l〜nは、l+m+n≧1を満たす0〜5の整数であり、A〜Dは、ヘテロ原子を有する置換基を含んでいてもよい。]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

塩基性不純物の含有量が10ppm以下である、下記一般式(1)で表される極端紫外光反応性有機化合物からなるフォトレジスト基材。

IPC (5件)：

C07C69/736 , C07C67/56 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (5件)：

C07C69/736 , C07C67/56 , G03F7/004 503Z , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (21件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BF29 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB76 , 4H006AB84 , 4H006AD17 , 4H006BB31 , 4H006BB44 , 4H006BJ50 , 4H006BP30

引用特許：

出願人引用 (1件)

高エネルギー放射線でのイメージング用フォトレジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164538 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー

審査官引用 (14件)

カリックスレゾルシンアレーン誘導体および感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-133996 出願人：JSR株式会社, 学校法人神奈川大学
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-340981 出願人：日本合成ゴム株式会社
ポジ型感放射線性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-134962 出願人：ジェイエスアール株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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