RRAM用途のスピンコーティングされたPr1-xCaxMnO3薄膜の高温アニーリング

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-229953
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064502
出願日： 2004年08月05日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 RRAM用途で用いるバイポーラ電気パルススイッチング特性を有するPCMO薄膜を形成すること。【解決手段】本発明によるRRAMデバイスにPCMO薄膜を形成する方法は、基板上の金属バリア層上に下部電極を形成することと、PCMO前駆体を用いて、下部電極上にPr1-xCaxMnO3層をスピンコーティングすることと、1つ以上のベーキング工程において該PCMO薄膜をベークすることと、各スピンコーティング工程の後に、PCMO薄膜を第1のアニーリング工程においてアニーリングすることと、PCMO薄膜が所望の厚さを有するようになるまで、スピンコーティング工程、ベーキング工程、および第1のアニーリング工程を繰り返し行うことと、第2のアニーリング工程において該PCMO薄膜をアニーリングし、それにより、0.2≦X≦0.5であるPr1-xCaxMnO3の結晶構造を有するPCMO薄膜を生成することとを包含する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

RRAMデバイスにPCMO薄膜を形成する方法であって、基板を準備することと、該基板上に金属バリア層を堆積させることと、該金属バリア層上に下部電極を形成することと、酢酸溶媒中で、Pr(CH3CO2)3・H2O、Ca(CH3CO2)2・H2O、およびMn(III)(CH3CO2)3・2H2OからなるPCMO前駆体を用いて、該下部電極上にPr1-xCaxMnO3(PCMO)層をスピンコーティングすることと、約50°C〜300°Cの温度で約10秒〜1時間、ベークすることを含む少なくとも1つのベーキング工程において、該PCMO薄膜をベークすることと、各スピンコーティング工程の後に、約400°C〜900°Cの温度での約10秒〜1時間の第1のアニーリング工程において該PCMO薄膜をアニーリングすることと、該PCMO薄膜が所望の厚さを有するようになるまで、該スピンコーティング工程、該少なくとも1つのベーキング工程、および該第1のアニーリング工程を繰り返し行うことと、約450°C〜1000°Cの温度での約1分〜24時間の第2のアニーリング工程において該PCMO薄膜をアニーリングし、それにより、0.2≦X≦0.5であるPr1-xCaxMnO3の結晶構造を有するPCMO薄膜を生成することと、上部電極を堆積させることと、該上部電極をパターニングすることと、該RRAMデバイスを完成させることとを包含する、方法。

IPC (3件)：

H01L27/10 , H01L21/28 , H01L45/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L21/28 301R , H01L45/00 A

Fターム (28件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG16 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA21 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第10/256,380号明細書

審査官引用 (7件)

電気的にプログラム可能な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-152439 出願人：シャープ株式会社
キャパシタ電極構造及び半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-301211 出願人：野村眞三, 谷奥正巳
セラミック層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-278466 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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