特許
J-GLOBAL ID：200903095683595027

TFT基板及び反射型TFT基板並びにそれらの製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
田中 信夫

田中 信夫 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-352765
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258675
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なTFT基板及び反射型TFT基板並びにそれらの製造方法の提案を目的とする。【解決手段】反射型TFT基板1aは、ガラス基板10と、上面がゲート絶縁膜30に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜50に覆われることにより絶縁されたゲート電極23及びゲート配線24と、ゲート電極23上のゲート絶縁膜30上に形成されたn型酸化物半導体層40と、n型酸化物半導体層40上に、チャンネル部44によって隔てられて形成された反射金属層60aと、チャンネル部44を保護するチャンネルガード500とを備えた構成としてある。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
基板と、 この基板の上方に形成されたゲート電極及びゲート配線と、 このゲート電極及びゲート配線の上方に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート電極の上方であって、かつ、前記ゲート絶縁膜の上方に形成された酸化物層と、 前記ゲート電極及びゲート配線の側方、並びに、前記酸化物層の上方及び側方に形成され、さらに、前記酸化物層のチャンネル部によって隔てらた位置に、それぞれソース電極用開口部及びドレイン電極用開口部が形成された層間絶縁膜と、 前記ソース電極用開口部に形成されたソース電極と、 前記ドレイン電極用開口部に形成されたドレイン電極と を備えたことを特徴とするTFT基板。
IPC (9件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  G09F 9/30
FI (9件)：
H01L29/78 612D ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 R ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 627C
Fターム (100件)：
2H092HA05 ,  2H092JA26 ,  2H092JB07 ,  2H092JB13 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092KA08 ,  2H092MA02 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA17 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD09 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5C094AA09 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094GB10 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK08 ,  5F033KK10 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK20 ,  5F033KK35 ,  5F033MM08 ,  5F033NN01 ,  5F033NN03 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX09 ,  5F033XX18 ,  5F033XX23 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM18 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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