特許
J-GLOBAL ID：200903095687105873

水素センサ及び水素の検知方法

発明者：
小野 泰一

小野 泰一 について

, 
紺野 敏明

紺野 敏明 について

, 
伊藤 卓雄

伊藤 卓雄 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (4件)： 武 顕次郎 ,  鈴木 市郎 ,  市村 裕宏 ,  小林 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-119575
公開番号（公開出願番号）：特開2006-300585
出願日： 2005年04月18日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】水素吸収体の水素吸収能力を高めて雰囲気中の水素ガス濃度を段階的又は連続的に検出可能な水素センサを提供する。【解決手段】絶縁基板1と、絶縁基板1の上面のほぼ全面に形成された層状の半導体2と、半導体2の上面中央部に形成された水素吸収体3と、半導体2の表面上であって水素吸収体3の左右両側に形成された内側電極5,5と、半導体2の表面上であって内側電極5,5の外側に形成された外側電極6,6とから水素センサを構成する。水素吸収体3を金又は金を主成分とする金とパラジウムとの合金をもって形成する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
半導体と、当該半導体上に付設された金又は金を主成分とする金とパラジウムとの合金からなる水素吸収体と、当該水素吸収体の付設位置を挟んで前記半導体上の前記水素吸収体と導通しない位置に配置された少なくとも1対の電極とを備えたことを特徴とする水素センサ。
IPC (1件)：
G01N 27/12
FI (2件)：
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C
Fターム (13件)：
2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BD02 ,  2G046BD06 ,  2G046BF01 ,  2G046FA01 ,  2G046FB00 ,  2G046FB06 ,  2G046FE13 ,  2G046FE29 ,  2G046FE38
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (12件)
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