特許
J-GLOBAL ID：200903095746501958

高ゲート結合キャパシタンスを有する不揮発性メモリ

発明者：
パーク,スティーブン・キータイ

パーク,スティーブン・キータイ について

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アバンジノ,スティーブン・シィ

アバンジノ,スティーブン・シィ について


出願人/特許権者：
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-520470
公開番号（公開出願番号）：特表2003-508916
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2003年03月04日
要約：
【要約】この発明は増大したゲート結合キャパシタンスを有する集積回路(100)に関する。集積回路(100)は表面(110)を有する基板(102)を含み、基板(102)は表面(110)下に延びるトレンチ(106)を有する。トレンチ充填材料(108)はトレンチ(106)内に配置され、表面(110)上に延びる部分(109)を有する。第1の導電層(116)がトレンチ充填材料(108)に隣接し、その部分(118)がトレンチ充填材料(108)の部分(109)上に延びる。絶縁層(122)が第1の導電層(116)上にあり、第2の導電層(124)が絶縁材料(122)に隣接する。
請求項（抜粋）：
増大したゲート結合キャパシタンスを有する集積回路(100)であって、表面(110)を有する基板(102)を含み、基板(102)は表面(110)下に延びるトレンチ(106)を有し、 トレンチ(106)内に配置され表面(110)上に延びる部分(109)を有するトレンチ充填材料(108)と、 基板(102)の上にありトレンチ充填材料(108)に隣接し、かつトレンチ充填材料(108)の部分(109)上に延びる部分(118)を有する第1の導電層(116)と、 第1の導電層(116)上の絶縁材料(122)と、 絶縁材料(122)に隣接する第2の導電層(124)とを特徴とし、これによって集積回路(100)は改善されたゲート結合比を有する、集積回路。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (15件)：
5F083EP02 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083ER22 ,  5F083GA22 ,  5F083JA04 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F101BA05 ,  5F101BA13 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BD35
引用特許：
審査官引用 (13件)
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