特許

J-GLOBAL ID：200903095846743606

半導体装置,それを用いた電力変換装置,それを用いた電力変換装置3相インバータ装置,及びそれを搭載したハイブリット自動車

発明者： 丹波 昭浩 ,  齋藤 隆一 ,  石田 一仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-065277
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259748
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 少なくとも2セットのパワー半導体モジュールを実装する場合において、制限された冷却水流量,圧力損失の元で効率よく冷却できる冷却構造を有し、しかも、小型な半導体装置,それを用いた電力変換装置,それを用いた電力変換装置3相インバータ装置,及びそれを搭載したハイブリット自動車を提供することにある。【解決手段】 パワー半導体素子103,104,105,106が搭載され、底面に金属ベースを有する第1及び第2のパワー半導体モジュール101,102を有する。第1及び第2のパワー半導体モジュール101,102は、冷却媒体流路の両面に搭載される。第1のパワー半導体モジュール101に通電される電流は、第2のパワー半導体モジュール102に通電される電流よりも大きく、第1のパワー半導体モジュール101の底面の金属ベース107の放熱能力は、第2のパワー半導体モジュール102の底面の金属ベース109の放熱能力よりも大きいものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

冷却媒体が通流される冷却媒体流路と、 パワー半導体素子が搭載され、底面に金属ベースを有する第1及び第2のパワー半導体モジュールとを有し、 前記第1及び第2のパワー半導体モジュールが、前記冷却媒体流路の両面に搭載され、 前記冷却媒体が、前記金属ベースに直接当てられる構造である半導体装置であって、 前記第1のパワー半導体モジュールに通電される電流は、前記第2のパワー半導体モジュールに通電される電流よりも大きく、前記第1のパワー半導体モジュールの底面の金属ベースの放熱能力は、前記第2のパワー半導体モジュールの底面の金属ベースの放熱能力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H01L23/46 Z ,  H01L25/04 C

Fターム (4件)：

5F036AA01 ,  5F036BA05 ,  5F036BB41 ,  5F036BC31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-229561   出願人：エイビービーリサーチリミテッド

審査官引用 (5件)

• 車両用半導体冷却装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-315251   出願人：株式会社東芝
• パワーモジュールの冷却装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-278539   出願人：日産自動車株式会社
• マルチチップモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-183751   出願人：株式会社日立製作所
• 電気自動車の駆動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-083475   出願人：日本電装株式会社, トヨタ自動車株式会社
• 電力用半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-102815   出願人：株式会社三社電機製作所