特許
J-GLOBAL ID：200903096079511946
半導体装置およびその製造方法、キャパシタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241478
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156473
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体あるいは高誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、強誘電体膜あるいは高誘電体膜の特性を向上させ、リーク電流を低減する。【解決手段】 強誘電体膜上に形成される上側電極を、酸化雰囲気中で形成する。また、強誘電体膜あるいは高誘電体膜の結晶化工程を、最初に不活性雰囲気中における熱処理により、次に酸化雰囲気中における熱処理により行なう。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、下側電極を形成する工程と、前記下側電極上にペロブスカイト型構造を有する強誘電体膜を堆積する工程と、前記強誘電体膜を酸化雰囲気中において熱処理し、結晶化する工程と、前記結晶化工程の後、前記強誘電体膜上に上側電極を形成する工程とよりなり、前記上側電極を形成する工程において、前記上側電極は酸化雰囲気中で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
