特許
J-GLOBAL ID：200903096268534051
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-363259
公開番号（公開出願番号）：特開2006-172115
出願日： 2004年12月15日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 1チップに複数の不揮発性メモリ回路を搭載した半導体記憶装置にて、単一の不揮発性メモリ回路を搭載した場合と同じ消去操作だけで複数の不揮発性メモリ回路すべてに対する消去動作を実行できるようにする。【解決手段】 入力された連続消去命令に応じて連続消去制御回路32から出力される連続消去開始信号STARTに基づいて、シフト回路33がデータの消去動作をそれぞれ実行させるための制御信号を複数の不揮発性メモリ回路34-iに対して順次出力するとともに、すべての不揮発性メモリ回路にてデータの消去動作が完了した場合には連続消去完了信号RDYを出力するようにして、単一の不揮発性メモリ回路を搭載した場合と同じ1つの連続消去命令でチップ30に搭載されたすべての不揮発性メモリ回路におけるデータ消去動作を連続して実行できるようにする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリ回路を1つのチップに搭載した半導体記憶装置であって、
入力される連続消去命令に応じて、連続消去開始信号を出力する連続消去制御回路と、
上記連続消去制御回路から入力される連続消去開始信号に基づいて、データの消去動作を実行させるための制御信号を上記複数の不揮発性メモリ回路に順次出力するとともに、すべての不揮発性メモリ回路にてデータの消去動作が完了した場合には連続消去完了信号を出力するシフト回路とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F12/06 523C
, G06F12/00 597U
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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