特許
J-GLOBAL ID：200903080705648807

不揮発性メモリ及びメモリカード

発明者：
松下 亨

松下 亨 について

, 
野田 敏史

野田 敏史 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016465
公開番号（公開出願番号）：特開2003-223792
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 メモリバンクの書き込み単位であるセクタサイズよりも大きなサイズのデータを扱う場合のシーケンシャルアクセス性能を向上させる。【解決手段】 消去及び書き込み可能な複数の不揮発性メモリセルを備え夫々独立にメモリ動作可能な複数のメモリバンク(BNK0〜BNKn)を有する不揮発性メモリ(1)は、書き込み指示コマンド、書き込み開始アドレス及び前記書き込み開始アドレスを起点とする書き込み処理領域数を入力した後、書込み処理領域数分だけ書き込みデータ及び書き込み開始コマンドを順次受け取り可能であり、一つのメモリバンクには一つの書き込み処理領域の書き込みデータをラッチしてから書き込み開始コマンドに応答してメモリセルへの書き込みを開始し、一つのメモリバンクにおけるラッチ動作と他のメモリバンクにおけるメモリセルへの書き込みとを並列可能とする。
請求項（抜粋）：
消去及び書き込み可能な複数の不揮発性メモリセルを備え夫々独立にメモリ動作可能な複数のメモリバンクを有する不揮発性メモリであって、書き込み指示コマンド、書き込み開始アドレス及び前記書き込み開始アドレスを起点とする書き込み処理領域数を入力した後、前記書込み処理領域数分だけ書き込みデータ及び書き込み開始コマンドを順次受け取り可能であり、一つのメモリバンクには一つの書き込み処理領域の書き込みデータをラッチしてから前記書き込み開始コマンドに応答してメモリセルへの書き込みを開始し、一つのメモリバンクにおけるラッチ動作と他のメモリバンクにおけるメモリセルへの書き込みとを並列可能とする第1書き込み動作モードを有することを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (4件)：
G11C 16/02 ,  G06F 12/00 597 ,  G06F 12/06 525 ,  G06K 19/07
FI (5件)：
G06F 12/00 597 U ,  G06F 12/06 525 A ,  G11C 17/00 601 T ,  G11C 17/00 601 D ,  G06K 19/00 N
Fターム (13件)：
5B025AA01 ,  5B025AA04 ,  5B025AA07 ,  5B025AD01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05 ,  5B035AA02 ,  5B035BB09 ,  5B035CA29 ,  5B060CA13
引用特許：
審査官引用 (11件)
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