特許
J-GLOBAL ID：200903096314704978
低酸素高純度チタン材の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115085
公開番号（公開出願番号）：特開2000-309833
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】半導体配線材料に用いられる低酸素の高純度チタン材をクロール法で製造することができる。【解決手段】(1) クロール法によって製造されたスポンジチタンの中心部分を採取して高純度チタン材を製造する方法であって、前記スポンジチタンの中心部分の温度が実質的に100°C以下、または60°C以下になるまで冷却した後、スポンジチタンの中心部を切断することを特徴とする低酸素高純度チタン材の製造方法である。(2) 同様に、高純度チタン材を製造する方法であって、反応容器内でスポンジチタンの中心部分の温度が所定温度になるまで冷却した後、反応容器から取り出してスポンジチタンの中心部を切断することを特徴とする低酸素高純度チタン材の製造方法である。上記(1)、(2)の低酸素高純度チタン材の製造方法において、不純物の混入を防止するため、反応容器はクラッド鋼で構成するのが望ましい。
請求項（抜粋）：
クロール法によって製造されたスポンジチタンの中心部分を採取して高純度チタン材を製造する方法であって、前記スポンジチタンの中心部分の温度が実質的に100°C以下になるまで冷却した後、スポンジチタンの中心部を切断することを特徴とする低酸素高純度チタン材の製造方法。
Fターム (4件)：
4K001AA27
, 4K001BA23
, 4K001EA13
, 4K001FA05
