特許
J-GLOBAL ID：200903096600543388

高誘電体キャパシタ、半導体装置、およびその製造方法

発明者：
林 軍

林 軍 について

, 
中林 正明

中林 正明 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341938
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174226
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 Ta2 O5 をキャパシタ絶縁膜とする高誘電体キャパシタにおいて、容量を増大させる。【解決手段】 Ta2 O5 膜をRuの(002)面上に堆積し、低温酸化を行なった後、約800°Cで急速窒化工程を行なう。
請求項（抜粋）：
下側電極と、前記下側電極上に形成されたTa2 O5 よりなるキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に形成された上側電極とよりなり、前記キャパシタ絶縁膜は100を超える比誘電率を有することを特徴とする高誘電体キャパシタ。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C
Fターム (41件)：
5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038CD19 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ18 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF12 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083AD22 ,  5F083AD42 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA20 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR10 ,  5F083PR12 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM