特許
J-GLOBAL ID：200903096928796402

高周波信号伝送用の基板と半導体素子用パッケージ

発明者：
杉野 勝章

杉野 勝章 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-182986
公開番号（公開出願番号）：特開2007-006065
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】 マイクロストリップ線路構造とコプレーナ線路構造とを併用した場合の高周波信号の特性劣化を抑制する。【解決手段】 基板20は、絶縁性の基板本体21表面に2本の高周波信号の伝送線路22を基板一端から他端に亘って備え、裏面には、基板表面の伝送線路22とでマイクロストリップ線路構造を形成するグランド導体23を有する。基板20は、それぞれの伝送線路22の両側に表面側グランド導体24、25を備え、表面側グランド導体24、25は伝送線路22とでコプレーナ線路構造を形成する。グランド導体23と表面側グランド導体24、25とは、複数箇所においてグランドビア導体26で導通され、基板本体21の両端では、側面グランド導体27にて導通されている。このため、伝送線路22に高周波信号が伝送する場合、表面側グランド導体24、25およびグランド導体23は、グランド電流が流れない部位を有せず、伝送線路22の経路全長に亘ってグランド電流を流す。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
高周波信号の伝送線路を表面に備える絶縁性の基板本体と、 前記基板本体の裏面もしくは基板本体の層内に内層されて形成され、前記伝送線路とでマイクロストリップ線路構造を形成するグランド導体と、 前記伝送線路の両側で前記基板表面に形成され、前記伝送線路とでコプレーナ線路構造を形成する表面側グランド導体と、 前記基板本体に形成され、前記グランド導体と前記表面側グランド導体とを、複数箇所において導通するグランドビア導体と、 前記基板本体の側面に露出して形成され、前記グランド導体の端部と前記表面側グランド導体との端部とを、導通する側面グランド導体とを備え、 前記側面グランド導体は、前記伝送線路の端部側の基板本体の側面の両方に配置されていることを特徴とする 高周波信号伝送用の基板。
IPC (5件)：
H01P 3/02 ,  H05K 1/02 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/04
FI (5件)：
H01P3/02 ,  H05K1/02 N ,  H01L23/02 H ,  H01L23/12 301L ,  H01L23/04 E
Fターム (9件)：
5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338BB03 ,  5E338BB19 ,  5E338CC02 ,  5E338CC06 ,  5E338CD13 ,  5E338CD23 ,  5E338EE13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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