半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小谷悦司 , 植木久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-092179
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039197
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】フリップチップ接合により実装して半導体発光装置とするためのGaN系化合物半導体を用いた発光素子であって、該素子内部で発生する光をより有効に活用し得る半導体発光素子と、その製造方法を提供する。【解決手段】透光性を有する支持基板の一方の面に、n層、発光層、p層が順次積層され、且つn型電極を前記n層上に形成するための凹部を有するGaN系化合物半導体層を含む半導体発光素子であって、前記凹部は、前記p層側を広い開口、前記n層側を狭い底面とする傾斜面を有し、少なくとも該傾斜面に前記発光層から放射される光を前記支持基板側へ反射するための反射層を有するものであることを特徴とする半導体発光素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性を有する支持基板の一方の面に、n層、発光層、p層が順次積層され、且つn型電極を前記n層上に形成するための凹部を有するGaN系化合物半導体層を含む半導体発光素子であって、前記凹部は、前記p層側を広い開口、前記n層側を狭い底面とする傾斜面を有し、少なくとも該傾斜面に前記発光層から放射される光を前記支持基板側へ反射するための反射層を有するものであることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E

Fターム (8件)：

5F041AA04 , 5F041CA40 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CB11 , 5F041CB15 , 5F041DA04 , 5F041DA09

引用特許：

出願人引用 (11件)

3族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209182 出願人：豊田合成株式会社
特許第3187284号公報(特許請求の範囲など)
特許第3244010号公報(特許請求の範囲など)

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審査官引用 (7件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-349964 出願人：豊田合成株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-152301 出願人：三洋電機株式会社
白色発光ダイオ-ド
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-223513 出願人：スタンレー電気株式会社

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